INVESTIGACION 1

Investigar el siguiente subtema de la unidad 1:

1.3 UJT, PUT, DIAC, SCR, TRIAC, SUS,
SBS, LASCR, GTO, SCS, IGBT,
Mosfet de potencia.

INCLUIR que son cada uno de estos elementos y en que consisten, su símbolo electronico y su curva característica.


Enviar con las ESPECIFICACIONES para TRABAJOS DE INVESTIGACIÓN. Se analizará a detalle QUE CUMPLA CON CADA UNO DE ESOS REQUISITOS.


FECHA LIMITE DE ENTREGA :  Lunes 29 de Agosto de 2011, 15:00 hrs . Después de esa hora ya no se aceptara NINGUN trabajo.