jueves, 25 de agosto de 2011

INVESTIGACION 1

Investigar el siguiente subtema de la unidad 1:


1.3 UJT, PUT, DIAC, SCR, TRIAC, SUS,
SBS, LASCR, GTO, SCS, IGBT,
Mosfet de potencia.

INCLUIR que son cada uno de estos elementos y en que consisten, su símbolo electronico y su curva característica.


Enviar con las ESPECIFICACIONES para TRABAJOS DE INVESTIGACIÓN. Se analizará a detalle QUE CUMPLA CON CADA UNO DE ESOS REQUISITOS.


FECHA LIMITE DE ENTREGA :  Lunes 29 de Agosto de 2011, 15:00 hrs . Después de esa hora ya no se aceptara NINGUN trabajo.

miércoles, 24 de agosto de 2011

FORMATO PARA TRABAJOS DE INVESTIGACIÓN

Los trabajos de investigación marcados deberán contener:

-Portada: Nombre del tecnológico y logotipo, nombre de la materia, nombre de la investigación,nombre del alumno, nombre del profesor, semestre y nombre de la carrera y en la parte inferior la ciudad, estado y fecha.

-Introducción; breve descripcion del contenido del trabajo

-Tabla de contenido: índice de los temas y subtemas, no es necesario que lleve numeración.

-Cuerpo de la investigación: titulos de temas o subtemas van en mayúsculas, si incluyes figuras o tablas ponerles nombre al pie de la misma.

-Conclusión: donde redactaras con tus propias palabras una reflexión de los aportes que obtuviste de la investigación

-Bibliografia: de todas las fuentes de informacion que hayas utilizado para realizarla (libros,mencionando el titulo del mismo y el autor ó páginas web tal cual aparecen en la barra de direcciones de tu navegador).

El trabajo será entregado en tiempo y forma al correo que ya conoces.

Para tu conocimiento ...

Deberás contar con el 80 % de las asistencias para tener derecho a examen ORDINARIO.



-Examen de la Unidad 30 %
- Reporte de Práctica de laboratorio 30 % 
-Cuestionarios en línea e investigaciones 15 %
-Resumen de la unidad y apuntes de clase  15 %
-Exposiciones y participaciones 10 %